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三星公布了一个完整的芯片工艺发展路线图,最高可达4nm

日期:2019-09-08  点击:   作者:365bet手机在线  来源:亚洲365bet体育

三星公布了一个完整的芯片工艺发展路线图,最高可达4nm
作者:Stand Source包括:云网络中的一切2017-07-1916:3:07
总结:三星电子宣布了芯片铸造工艺技术发展的全面路线图,以便客户能够设计和制造更快,更节能的芯片。
从超大型数据中心到物联网(IoT),业界发展智能互联设备的趋势一直很明显,使消费者能够以新的方式获得前所未有的信息。功能强大
关键词:三星[334项]4nm[0件]芯片[2717件]
图1.三星已推出完整而完整的芯片处理流程路线图,最高可达4 nm
三星电子宣布了芯片冶炼工艺技术发展的全面路线图,以便客户能够设计和制造速度更快,能效更高的芯片。
从超大型数据中心到物联网(IoT),业界发展智能互联设备的趋势一直很明显,使消费者能够以新的方式获得前所未有的信息。功能强大
考虑到这一点,三星发布了采用最新工艺技术的8 nm,7 nm,6 nm,5 nm,4 nm和18 nm FD-SOI芯片处理器的工艺演变路线表。
图2.连接设备的快速增长促进了芯片技术的发展。
图3.三星将在三星铸造论坛上推出完整的铸造工艺技术演进路径。
三星最新的代工厂论坛提供的三星最新技术和代工工艺解决方案包括:
FD-SOI(完全耗尽的硅绝缘体):对于物联网应用,三星将通过在更广泛的平台上结合RF(射频)和eMRAM(嵌入式磁性随机存取存储器)选项逐步扩展28FDS技术。
18FDS是三星FD-SOI路线图的下一代工艺节点,具有增强的PPA性能(功率/性能/面积)。
图4,FD-SOI
8LPP(8nm低功率Plus,8nm LowPowerPlus):8LPP在生产过程成为EUV光刻(ExtremeUltraViolet)之前具有最大的竞争优势。
结合三星10纳米技术的关键工艺创新,与10LPP相比,8LPP在性能和栅极密度方面具有额外优势。
7LPP(7nm低功率Plus,7nm LowPowerPlus):7LPP是首款采用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。
与三星和ASML合作开发了高达250W的EUV电源。这是EUV加入大规模生产的最重要里程碑。
EUV光刻技术的发展将打破摩尔定律扩展的障碍,为开发独特的纳米半导体技术开辟道路。
6LPP(6nm低功率Plus,6nm LowPowerPlus):6LPP采用三星专有的SmartScaling解决方案,并嵌入基于EUV的7LPP技术,用于区域扩展和超低能耗。
5LPP(5nm低功率Plus,5nm LowPowerPlus):5LPP实现下一代4LPP工艺生产技术创新,扩大FinFET结构的物理尺寸限制,实现更好的规模和更低的功耗。
4LPP(4nm低功耗Plus):4LPP是第一款实现下一代器件架构的MBCFETTM结构(MultiBridgeChannelFET)。
MBCFETTM是三星专有的GAAFET(GateAllAroundFET)技术,它使用纳米片器件来克服FinFET架构的物理尺寸和性能限制。
图5.除智能手机外,三星电子仍然是芯片铸造解决方案的重要供应商。
Samsung Foundry的先进工艺技术路线图展示了客户与生态系统协会之间的协同作用。
通过包括上述工艺技术,新设备可以爆炸式增长,并以之前无法实现的方式连接消费者。
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